三星电子于今日正式对外宣布，其已成功向全球主要客户群体交付了业界首批12层高带宽内存（HBM4E）样品，此举标志着内存技术领域的一项重要进展。
三星此次推出的HBM4E内存，在性能上表现卓越，其引脚传输速度可稳定达到14Gbps，并具备扩展至16Gbps的潜力。与前一代HBM4相比，HBM4E的性能实现了20%的显著提升。此外，该新型内存的每个堆栈能够提供高达3.6 TB/s的内存带宽，这对于提升大语言模型（LLM）以及下一代人工智能系统的计算效能具有关键意义。
如同其HBM4产品线，三星HBM4E同样整合了1c nm DRAM裸晶与4nm逻辑裸晶。特别值得注意的是，通过引入先进的低功耗设计技术并优化了封装结构，HBM4E在能效方面实现了16%的提升，同时其热阻特性也得到了14%的改进。
目前交付的三星电子12Hi HBM4E单堆栈容量为48GB。展望未来，三星还计划根据市场和客户的特定需求，陆续推出8Hi 32GB及16Hi 64GB等多样化配置。在完成初期的样品验证与优化阶段后，三星将根据客户的量产时间表，适时启动HBM4E的批量生产工作。