随着集成电路技术不断向更小节点迈进，芯片的特征尺寸已逼近原子级别，这对加工精度、表面质量和损伤控制提出了前所未有的严格要求。传统的化学机械抛光（CMP）和等离子刻蚀技术，因其固有的划痕、亚表面损伤以及精度有限等局限性，已难以满足先进逻辑、存储和硅光芯片等核心领域的需求。
在此背景下，离子束刻蚀技术凭借其卓越的原子级精度和近乎零损伤的优势，日益成为“后摩尔时代”半导体制造工艺中不可或缺的关键装备。
与传统的等离子刻蚀技术主要依靠化学反应结合离子轰击来去除材料不同，离子束刻蚀技术通过将离子加速并中和后，直接轰击晶圆表面，纯粹以物理溅射的方式完成材料去除，其原理上的根本差异决定了两者在性能表现上的巨大差距。
相较于传统工艺，团簇离子束刻蚀能够实现纳米级的超高精度，展现出更优异的方向性，并且能达成几乎无损伤的加工效果。该技术对材料的适应性极强，工艺灵活性高，不仅可以进行晶圆的局部定点精修，还能实现任意角度的复杂刻蚀。
北方华创此次推出的Acme Glaion130设备，成功攻克了行业内的三大技术难题，实现了关键技术的自主可控。首先是其核心的气体团簇离子源技术，与常规的单体离子源相比，该技术在刻蚀速率、表面质量和工艺损伤方面均表现出显著优势。其团簇离子源的稳定性和束流质量达到了同类设备中的领先水平，为实现原子级刻蚀提供了坚实支撑。
其次是高速运动下电极技术，它能够保证晶圆的精准快速定位，有效解决了高速运动中的稳定性问题，从而确保了加工精度。最后是动态精确控制算法，该算法集成了原位膜厚量测装置，能够根据所需的刻蚀图谱优化载台的运动轨迹，从而实现晶圆的局部定点精修。
Acme Glaion130展现出强大的多场景兼容能力，能够满足高端芯片和前沿领域的刻蚀需求。在先进逻辑和存储芯片领域，它通过定向刻蚀有效减少了光罩层数，降低了工艺成本；设备的高选择比刻蚀能力显著降低了线条侧壁粗糙度，并消除了桥连缺陷，从而提升了器件的良率和性能，为先进逻辑及存储芯片的量产提供了保障。
在先进封装领域，Acme Glaion130能实现表面活化、污染物清除及精准修平，有效提升了晶圆键合质量和膜厚均一性，有力推动了三维集成技术的发展。针对硅光芯片领域，该设备能够实现原子级的表面平坦度，降低光散射损耗，从而提升光通信效率，助力硅光芯片产业迈向高端化迭代升级。
此外，在增强现实/虚拟现实（AR/VR）领域，Acme Glaion130支持离子束入射角度的灵活调节，能够实现光栅刻蚀的高均一性和渐变深度刻蚀，从而助力AR/VR设备的光学性能实现质的飞跃。
北方华创方面表示，经过实际测试，Acme Glaion130展现出卓越的性能，其整面刻蚀膜厚控制精准，并能保持原子级的光滑表面，综合性能已达到同类型设备的国际领先水平。