日前有消息指出，三星电子在近期取得了一项关键技术突破。通过采用其独有的单元多层键合（CMB）技术，三星成功地将两片拥有450层结构的3D NAND部件精准连接，从而创新性地构建了全球首个堆叠层数达到900层的3D NAND闪存原型。目前，该原型的存储单元相关工作性能已经得到了充分验证。
在这次原型产品的开发过程中，三星电子面临了严峻的技术挑战，特别是如何确保两片450层NAND“摩天大楼”在连接过程中达到极高的可靠性。为解决晶圆在生产过程中可能出现的翘曲现象，三星引入了“上部卡盘”这一创新解决方案。同时，针对微观层面的对准误差，公司还采用了新型的套刻校正技术予以克服。此外，三星也在位线（BL）和字线（WL）设计上进行了改进，旨在同步优化产品功耗并缩小整体尺寸，进一步提升了技术集成度。