据行业人士透露，KIOXIA（铠侠）公司预计将于2027年启动其第十代BiCS FLASH产品的量产工作。有关此项大规模生产的具体投资细节，预计将在2026年下半年对外公布。这一最新量产时间点比此前传闻的2026年稍晚。
在BiCS8技术世代，铠侠率先采用了CBA（CMOS直接键合到存储阵列）架构，成功实现了NAND存储单元与外围电路制造流程的分离。去年，该公司已成功展示了结合现有存储单元技术与最新CMOS技术的BiCS9产品。
即将推出的BiCS10闪存技术，将存储单元的堆叠层数提升至332层，旨在满足市场日益增长的高容量和高性能需求。该款闪存将支持每秒4.8吉比特（Gbps）的I/O接口速率，其位密度相比当前的BiCS8产品提升了59%。