据新闻报道，美光科技在第六代高带宽内存（HBM4）的产能扩张方面进展顺利。公司高管透露，HBM4 的量产速度比去年的 HBM3E 提高了两倍，且良品率提升更快。这款产品主要面向英伟达即将推出的 AI 计算平台 Vera Rubin。
美光方面指出，HBM4 生产效率显著提升，得益于三方面因素：首先，公司在 HBM3 和 12 层 HBM3E 量产过程中积累了宝贵的经验；其次，HBM4 采用了美光自主研发的 10 纳米级第五代 1-beta（1β）工艺，该工艺在性能和良率方面表现稳定；最后，美光内部优化的基础裸片设计也为产品质量和性能提供了保障。
然而，从下一代 HBM4E 开始，美光将调整其生产策略。HBM4E 的核心裸片将采用 10 纳米级第六代 1-gamma（1γ）工艺制造，这是美光首次导入 ASML 极紫外光刻（EUV）设备的关键节点。值得注意的是，HBM4E 的基础裸片将不再由美光自行生产，而是交由台积电代工。
美光执行副总裁马尼什·巴蒂亚表示，HBM4E 的开发正在按计划进行，预计将于明年启动量产。首批产品将符合 JEDEC 标准，同时美光也将推出针对特定客户需求的定制版本。尽管定制产品的成本会相对较高，但美光相信其卓越的性能和丰富的功能将吸引大量市场需求。
与此同时，三星电子和 SK 海力士也在积极推进 HBM4E 的研发。三星计划在今年第二季度提供首批 HBM4E 样品，其基础裸片将由三星晶圆代工部门利用与 HBM4 相同的 4 纳米工艺制造。SK 海力士则预计在今年下半年向客户提供 HBM4E 样品，并计划在明年开始量产，其基础裸片将继续由台积电协助生产，据称会采用 3 纳米工艺。
美光同时预计，到今年年中，采用 1γ 工艺生产的 DRAM 产品以及第九代 NAND 闪存产品，将在公司总位元出货量中占据半数以上份额。其中，1γ DRAM 有望成为美光产量规模最大的单一 DRAM 工艺节点。