据韩国媒体Edaily报道，三星电子在2026年台北国际电脑展上，正式发布了全球首款HBM5内存。这款创新的存储技术定位为第八代产品，主要服务于高性能计算（HPC）及人工智能（AI）训练领域日益增长的需求。
HBM5内存预计将在2029年至2031年间逐步商用。它将采用尖端的制造工艺，其中包括2纳米的基础裸片技术，并结合1c纳米的DRAM组件，以实现性能上的飞跃。
面对超高功耗带来的散热挑战，HBM5将引入浸没式冷却技术。这项技术通过将芯片裸片及整个封装单元直接浸泡在冷却液中，确保内存系统在高负载运行时的稳定。
在性能指标方面，业界普遍预测HBM5的输入/输出（I/O）通道将大幅提升至4096比特。此外，其标准配置将是16层堆叠，预计每个堆叠的带宽能够达到惊人的4 TB/s。