本月21日，东芝电子元件及存储装置株式会社对外宣布，其最新研发的1200V沟槽栅碳化硅MOSFET“TW007D120E”已正式开始向市场提供测试样品。这款先进的功率器件主要瞄准未来的AI数据中心电源系统，特别适用于800V高压直流架构，同时也能广泛应用于可再生能源相关设备。
“TW007D120E”的核心优势在于采用了东芝独有的沟槽栅结构设计。与现有产品相比，其单位面积导通电阻降低了约58%，达到行业领先水平。此外，该产品的品质因数也提升了大约52%。
这些技术亮点使得这款新型MOSFET能够有效提升数据中心电源系统的工作效率，并大幅减少发热量，从而优化整个系统的运行表现。对于即将到来的AI数据中心而言，提高功率密度和增强功率级的散热性能至关重要，而这款器件正能满足这些关键需求。
东芝已经制定了明确的规划，预计在2026财年实现“TW007D120E”的规模化生产。未来，公司还将持续投入研发，致力于拓宽产品线，例如开发适用于汽车领域的相关产品。